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DMP3010LPSQ-13  与  BSC060P03NS3E G  区别

型号 DMP3010LPSQ-13 BSC060P03NS3E G
唯样编号 A-DMP3010LPSQ-13 A-BSC060P03NS3E G
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 5.15mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 7.5m Ohms@10A,10V 6mΩ
零件号别名 - BSC060P03NS3EGATMA1 BSC060P03NS3EGXT SP000472984
上升时间 - 139 nS
产品特性 车规 -
Qg-栅极电荷 - 61nC
栅极电压Vgs ±20V 25V
封装/外壳 8-PowerTDFN -
连续漏极电流Id 36A 100A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
配置 - Single Quad Drain Triple Source
长度 - 5.9mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
下降时间 - 34 nS
高度 - 1.27mm
栅极电荷 Qg - 61 nC
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2.18W(Ta) 83W
典型关闭延迟时间 - 66 nS
FET类型 P-Channel P-Channel
通道数量 - 1Channel
系列 - OptiMOSP3
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.1V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 6234pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 126.2nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMP3010LPSQ-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

P-Channel 36A(Ta) ±20V 2.18W(Ta) 7.5m Ohms@10A,10V -55°C~150°C(TJ) 30V 36A 8-PowerTDFN 车规

暂无价格 0 当前型号
BSC080P03LSGAUMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

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暂无价格 0 对比

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